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SEB4探頭

產品時間:2024-07-08

簡要描述:

貝克休斯BakerHughes德國KK美國GE SEB4探頭/SEB4-E軟膜直探頭/縱波單晶探頭/超聲波探頭/SEB4-EN超聲波探傷儀探頭,頻率:4MHZ,焦距:12mm。用于探測棒材、坯塊、軸、桿等中心缺陷,經常用作在中等和大尺寸物體(如鍛造或鑄造的物體)中關鍵部位小缺陷的探測(如氣孔、微孔和熱裂縫)。更適用于平行物體表面的缺陷定位(如層狀結構缺陷、渣孔以及厚鋼板中的分隔線)。

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貝克休斯BakerHughes德國KK美國GE SEB4探頭

SEB4探頭


SEB4探頭


探頭選擇準則與性能說明:


直探頭---雙晶

• 接受發(fā)射單元用串擾擋板分開

• 缺陷或背反射平行于表面,可被垂 直于表面的聲束探測

• 近表面分辨率好,用于較薄部件

• 需要耦合層,一般為凝膠,油類,漿糊

• 通常用于手動檢測


特性

獨立的聲波發(fā)射和接收單元

縱波垂直傳輸

小焦距探頭具有非常好的近場分辨率

使用耐磨的塑料延遲塊,即使在粗糙或彎曲的表面也能很好耦合性

延遲塊由一個金屬環(huán)保護以防磨損

在焦點內特別適合剩余壁厚的測量

加上延遲塊(定制產品)能夠在高溫表面測量


應用

  • 近表面的小缺陷探測和評估

  • 焦點內大缺陷以及平行于表面分布的缺陷檢測

  • 腐蝕、銹蝕剩余壁厚的測量(包括高溫情況下測量)

  • 粘結檢測

    螺釘,螺栓,銷釘

    覆層和堆焊層

    軸,桿,方坯芯檢測

    粗晶材料

    火車車輪



探頭選擇準則—歐洲規(guī)格

按照歐洲標準生產的探頭, 本目錄提供的技術性能信息依照下表定義。 絕大多數的探傷儀探頭都免費提供性能數據表。

性能參數

解釋

晶片尺寸 D 或 a ×b

探頭晶片的直徑D或長度×寬度a ×b 。它的尺寸大小對聲波的傳輸有極大的影響 。輕微的偏差,如形狀的偏差,或粘接不良造成的位置偏差而產生的聲能衰減,即使是利用參考缺陷進行標定,都將產生嚴重的評估誤差。

標稱頻率f

所有相同類型探頭的均值頻率,頻率對反射體的評定有大的影響 。對斜反射體,頻率甚至影響聲場 波形和反射特性 。隨著頻率的增加,非垂直反射體對聲束的反射回波減小 。這就是為什么每一個探頭都要由我們的質量控制部門根據鑒定標準進行嚴格檢測,以確定其頻率是否與標稱頻率相一致,保證在一定的誤差范圍內。這個數據輸入到探頭的數據參數表。

帶寬B

脈沖回波的幅值比最高幅值下降6dB之間的頻率范圍。

fo=幅值下降6dB的上限頻率,fu=幅值下降6dB的下限頻率,f為標稱頻率。 例如,當B=100%, 一個4 MHz的探頭的fo為6 MHz,而fu為2 MHz。

大的帶寬意味著更短的脈沖回波,也就意味著高的分辨率和更好的穿透能力, 因為低頻脈沖比標稱頻 率脈沖的衰減小 。在高衰減情形下,與標稱頻率相比,隨著距離的增加,反射信號的頻率減小 。這一 點在進行缺陷評估時必須要加以考慮 。因此每一個探頭的帶寬都要進行檢查,并且與所有探頭的平均值相一致,保證在一定的誤差范圍內。

焦距F

F :小缺陷產生蕞大回波時探頭到小缺陷的距離。探頭要進行聚焦以便探測小缺陷并得到蕞大的回波幅值,只有在探頭的近場才可能聚焦。

近場長度N

近場長度N是非聚焦探頭的焦距長度,它是聲軸線上能得到聲壓ji大值的最遠距離 。N的大小由D 、c 和f來決定 。

其中λ為波長,c為聲速, Deff是單元有效直徑

焦點處和近場長度處聲能最為集中,反射體最易識別。因此重要測試場合一般預期缺陷在焦距或近場長度處。表中的數據對鋼材而言,而水浸探頭為水。

焦點直徑FD6

在焦距或近場長度附近,聲壓值比主聲軸下降6dB處到主聲軸的距離 。

脈沖形狀

來自于平面反射面的信號表述。

頻譜

回波脈沖中所有頻率的顯示,頻率幅值在頻率上顯示。

聲束角度 β

主聲束與檢測面法線之間的夾角








貝克休斯BakerHughes德國KK美國GE SEB4探頭

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